采用IGBT M7芯片技术的flow E1/E2，实现更高的功率密度
新模块具有优异的热性能，并采用最新一代IGBT M7芯片技术，可帮助客户提高效率，同时减少供应链问题。了解功率范围扩展至50 A(PIM)和100 A(sixpack)的新型PIM(CIB)和sixpack配置。
主要优势
- 与业内其他同类产品相比，热性能（Rth(j-s)）提升20%，使用寿命更长，功率和可靠性更高
- 25A PIM等采用 flow E1小型封装，功率密度更高
- 真正的芯片级多重采购，可增强供应链的安全性
- 采用预涂相变材料和压接引脚，可轻松组装
特性
主要封装特性:
- 12mm低寄生感应标准工业封装
- 预弯DCB可与散热器发生良好的热接触
- CTI 600 封装材料
- 压接引脚带泄压区
- 可选相变材料
主要电气特性:
- 超低通态压降Vce(sat)
- 优化的动态损耗
- 续流管特性更软
- dV/dt 可控性增强
输出功率损耗基准测试对比
左侧的图表比较了在最大允许结温150°C时的输出功率，开关频率范围为2到16 kHz。对flowPIM E2 1200 V / 25 A模块和其他同类产品的等效模块进行了基准测试。该基准测试显示，采用IGBT M7的新型flowPIM E2的输出功率提高了15％，超越了其他同类产品。
